专利摘要：本实用新型公开了一种功率MOS管，包括：壳体和设置在壳体中的半导体管芯，壳体的底端端面上穿设有若干个与半导体管芯相连的直插引出管脚；所述的直插引出管脚包括：与所述半导体管芯相连的引出段、用于安装的插装段以及连接引出段和插装段的弧形弯曲段，直插引出管脚的弧形弯曲段的两端分别设置有与引出段和插装段相连的反向弧形连接段，并且，弧形弯曲段的顶点低于所述壳体的底面。本实用新型所述的功率MOS管尤其适用于安装在各种移动设备中。

今年以来协昌科技新获得专利授权5个。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了903.7万元，同比增36.71%。

数据来源：企查查

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